留学内容
テーマは「次世代半導体GaNの低コストな製造手法確立によるGXへの貢献」。
AIやテクノロジーのを行ったう電力消費量の急増は、地球環境破壊という課題を生んでいます。この問題に挑むため、省エネ性能に優れた「次世代半導体GaN」の普及にを目指した。しかし、GaN普及の最大の壁は、製造コストの高さにありました。私は「スパッタリング法」を用いた低コスト化に挑みましたが、日本国内の研究ではなかなか成果が出ず壁にぶつかりました。
そこで、日本の研究室で直面した工学的アプローチの限界を突破するため、理論研究の世界的権威であるゲント大学DRAFTグループにて、普遍的な成膜メカニズムの解明に挑みました。






